本發明公開了一種基于ZnS·SiO2的雙向自限流憶阻器件及其制備方法,屬于集成微電子技術領域;雙向自限流憶阻器件包括:上電極、功能層和下電極,功能層由ZnS和SiO2復合形成單層復合結構ZnS·SiO2;單層復合結構ZnS·SiO2中ZnS和SiO2的復合比例滿足以下要求:ZnS的成分大于或等于SiO2。本發明通過對該憶阻器中功能層進行改進,利用ZnS和SiO2的復合材料作為憶阻器單元的阻變功能層,導電絲會沿著ZnS的晶界生長,從而降低導電絲生長的隨機性,起到定向誘導導電絲生長的作用,提高器件的高低阻態穩定性和操作電壓的一致性。同時,ZnS和SiO2的復合會產生一個額外的接觸電阻,起到外接串聯電阻的作用,實現雙向自限流。
聲明:
“基于ZnS·SiO2的雙向自限流憶阻器及其制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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