本發明涉及納米復合材料技術領域,尤其涉及一種多層納米帽?星耦合周期性陣列及其制備方法,包括貴金屬?氧化物雙層基底以及生長在其表面的納米貴金屬周期陣列,所述貴金屬選自Au、Ag、Pd和Pt中的一種。本發明的多層納米帽?星耦合周期性陣列具有均勻性好、有序度高、可重復性強的特點,具有傳導表面等離激元和改變局域能量場的優異性能;納米圖紋陣列構筑步驟簡單、制備周期較短;在制備過程中無需昂貴的試劑因而制備成本較低;雙層結構的制備為后續納米結構拓寬了可操作的空間。
聲明:
“多層納米帽-星耦合周期性陣列及其制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)