本發明公開了一種復合圖形化襯底的制備方法,包括以下步驟:S1:制備藍寶石基礎襯底;S2:在S1步驟中制備的藍寶石基礎襯底表面固定支撐體,再在支撐體表面鍍金屬合金層,去除氧化膜,去除支撐體,即得空腔結構的藍寶石襯底;S3:在藍寶石襯底的空腔中填充納米復合材料,同時在金屬合金層外表面形成AlN層;S4:在AlN層上進行光刻膠、堅膜以及兩次ICP刻蝕處理;S5:清洗掉剩下的光刻膠,即得復合圖形化襯底。本發明提出的制備方法簡單、易操作,制得的復合圖形化襯底晶體質量高,光的出射強,襯底整體的重量輕,生產成本低,基礎襯底與GaN材料的溫差小,晶體的性能穩定,晶格失配率低,MOCVD的使用效率高。
聲明:
“復合圖形化襯底的制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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