一種高介電常數和低介電損耗的聚合物復合薄膜及其制備方法和應用,屬于嵌入式電容器和半導體存儲器件等應用領域。本發明要解決相比無機陶瓷材料的高介電常數,聚偏氟乙烯及其共聚物還難以滿足現在嵌入式電容器以及半導體儲存器件生產應用的需求。本發明所述CNT@PDA是由多巴胺(DA)在碳納米管(CNT)表面自聚生成聚多巴胺(PDA)而制備,同時改變基體聚合物的種類和填料的添加量,得到一種高介電常數低介電損耗的聚合無機復合材料。本發明廣泛用于現代嵌入式電容器和半導體存儲器件等的領域。
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“高介電常數和低介電損耗的聚合物復合薄膜及其制備方法和應用” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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