一種花狀分等級結構二硫化錫/二氧化錫納米復合氣敏材料的制備方法。本發明屬于氣敏材料領域,具體涉及一種花狀分等級結構二硫化錫/二氧化錫納米復合氣敏材料的制備方法。本發明目的是為了解決現有基于無機二維層狀SnS2納米材料的NO2傳感器靈敏度不夠高的問題。方法:通過微波加熱的方法合成花狀分等級結構的SnS2,再進一步煅燒,使得SnS2表面部分氧化生成SnO2,得到復合納米材料。將本發明制得的花狀分等級結構二硫化錫/二氧化錫復合材料制成氣敏傳感器進行測試,與純SnS2傳感器相比,二硫化錫/二氧化錫復合氣敏材料制備的氣敏元件對二氧化氮表現出更高的靈敏度。
聲明:
“花狀分等級結構二硫化錫/二氧化錫納米復合氣敏材料的制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)