本發明涉及一種新型聚碳硅烷及其制備方法,采用格式試劑偶聯方法制備聚碳硅烷陶瓷前驅體,分子結構中同時含有Si-H鍵和C≡C等不飽和基團,在一定的溫度下可自身交聯固化,固化失重低,工藝性好,通過調節反應物氯硅烷單體的官能度、投料比,以及優化反應條件,可有效調節前驅體中Si/C比及前驅體產物的工藝性能,得到的產物具有優異的耐熱性,陶瓷產率高,陶瓷中自由碳含量低,SiC陶瓷相純度高,適于作為高性能SiC陶瓷前驅體,可用于超高溫陶瓷基復合材料浸漬基體,亦可用于SiC陶瓷涂層、纖維等高性能材料的制備。
聲明:
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