本發明涉及一種I2-II-IV-VI4基薄膜太陽電池。屬于太陽電池新能源領域。本發明以p型I2-II-IV-VI4基半導體薄膜作為吸光層,以與吸光層同質的薄膜作為緩沖層,優化電池p-n結能帶帶階;以高功函數的雙層復合薄膜作為電池的底電極,消除光吸收層與底電極的接觸勢壘;以寬帶隙的ZnS半導體薄膜作為窗口層,提高電池的光利用效率。本發明所提供的I2-II-IV-VI4基薄膜太陽電池,原料豐富、廉價,具有優良的器件結構。
聲明:
“Ⅰ2-Ⅱ-Ⅳ-Ⅵ4基薄膜太陽電池” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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