PI柔性襯底太陽電池用P型微晶硅碳薄膜材料及制備,本發明涉及新能源中薄膜太陽電池領域。所述的P型微晶硅碳薄膜材料層厚15-30nm,電導0.15S/cm-10S/cm,帶隙在2.0eV以上,晶化率為30%-50%。本發明通過改變碳摻雜比例的優化研究,控制材料的光電性能和結構特性,利用碳原子引入可增大硅薄膜帶隙的效應來得到高電導、寬帶隙的P型微晶硅碳。本發明的效益是:將這種寬帶隙的P型微晶硅碳材料用于PI不透明柔性襯底非晶硅薄膜太陽電池中并結合優化的p/i緩沖層,可顯著增強薄膜電池的內建電場,提高電池的開路電壓,從而得到高光電轉換效率的非晶硅薄膜太陽電池。
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