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    壓力驅動離子擴散生長制備無機鈣鈦礦單晶薄膜的方法

    798   編輯:管理員   來源:中冶有色網  
    2023-03-18 20:23:46
    本發明涉及一種壓力驅動離子擴散生長制備無機鈣鈦礦單晶薄膜的方法。首先用常規的溶液旋涂方法制備無機鈣鈦礦半導體多晶薄膜,然后用表面拋光的蓋片與多晶薄膜表面緊密貼合,并用柔性耐高溫薄膜包覆。接著,將樣品放入充滿液態傳壓傳熱介質的高壓熱壓釜內,封釜后在熱壓釜上施加高壓,并以設定的速度升溫到設定值。恒溫恒壓處理一段時間后,使熱壓釜緩慢冷卻到室溫。卸去壓力后,打開熱壓釜即可得到晶粒粒度大、結晶度高、晶界高度融合的高質量無機鈣鈦礦半導體單晶薄膜。本發明制備的無機鈣鈦礦單晶薄膜可用于研制高性能太陽能電池、電致發光器件、光電探測器等,在新能源技術、顯示設備制造以及自動控制等領域有重要的應用價值。
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