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    低成本、高產率SiC單晶的生長方法

    839   編輯:管理員   來源:中冶有色網  
    2023-03-18 20:23:49
    本發明涉及一種低成本、高產率SiC單晶的生長方法,該方法采用雙側生長坩堝進行,所述的雙側生長坩堝包括坩堝體,坩堝體內設置有兩個縱向間隔的多孔石墨片,多孔石墨片將坩堝體的內腔分割成左夾層、生長腔和右夾層,本發明的生長方法采用雙側生長坩堝進行,在坩堝的兩個夾層放置SiC粉料,使SiC籽晶的兩個面均存在一定濃度的SiC生長氣相組分,有效避免了晶體高溫生長時籽晶分解的現象,降低大直徑SiC籽晶粘接不良導致的SiC單晶合格率低的問題,大大提高了SiC單晶的制備效率,降低了SiC單晶成本。制備的SiC單晶質量優于或相當于現有技術制備的SiC單晶質量,能夠用于新能源汽車、光伏發電、5G通訊等領域。
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