本申請實施例涉及光伏新能源領域,特別涉及一種太陽能電池制備方法及半導體結構,其中,太陽能電池制備方法包括:在基底的正面制絨;對正面進行擴散處理以形成摻雜層;在基底的背面形成鈍化層;在鈍化層遠離基底的一面形成掩膜層,其中,掩膜層包括可揮發性材料;在掩膜層遠離鈍化層的一面印刷導電漿料;加熱導電漿料以使導電漿料形成電極,其中,在加熱過程中,掩膜層至少部分揮發;本申請實施例提供的太陽能電池制備方法及半導體結構,減少了導電漿料入侵基底或太陽能電池的其他結構的深度,在太陽能電池使用時,可減少復合損失,從而提升太陽能電池效率。
聲明:
“太陽能電池制備方法及半導體結構” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)