本發明屬于新能源技術領域,提供一種高比表面積的TiN電極、制備方法及其應用。主要是通過硅片制絨工藝對硅襯底表面進行粗糙化處理,在襯底材料表面形成由多個密排微米級金字塔組成的微觀粗糙結構,使沉積在襯底上的TiN電極的比表面積增大,導致其電化學電容性能顯著提高。這種高比表面積的TiN電極具有廣闊的應用前景,例如,可用作微型超級電容器的電極材料。本發明能夠保證其他工藝過程不變的條件下,克服了原來光滑電極電容性差、活性低等缺點,此制造技術與微電子工藝兼容,方法簡便可行,成本低廉,且經濟效益顯著。
聲明:
“高比表面積的TiN電極、制備方法及其應用” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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