本發明涉及一種化合物硫硅鎘鋰和硫硅鎘鋰紅外非線性光學晶體及制備方法和應用,該化合物的化學式為Li2CdSiS4,分子量為282.61,為硫硅鎘鋰粉末純樣;該晶體的化學式為Li2CdSiS4,分子量為鋅,非中心對稱結構單晶,晶系為正交晶系,空間群為Pmn21,晶胞參數a=7.611(3)?,b=6.793(2)?,c=6.304(2)?,Z=2,單胞體積V=325.90(19)?3。采用在真空條件下進行固相反應法和高溫熔融?自發結晶法制備粉末純樣和晶體;本發明中所述的硫硅鎘鋰紅外非線性光學晶體的純樣XRD圖與理論值吻合;在2090nm的激光下,倍頻效應是AgGaS2的1倍;獲得毫米級晶體。
聲明:
“化合物硫硅鎘鋰和硫硅鎘鋰中遠紅外非線性光學晶體及制備方法和應用” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)