本實用新型公開了一種低直流漂移的鈮酸鋰薄膜強度調制器,包括:基底晶片、鈮酸鋰薄膜、光學波導、調制電極、信號電極、地電極、直流偏壓電極,所述基底晶片采用具有低介電常數的材料;所述鈮酸鋰薄膜為單晶結構、X切Y傳晶向的光學級鈮酸鋰單晶薄膜;所述光學波導為鈦擴散波導或退火質子交換波導;所述調制電極為推挽型行波式電極結構,所述直流偏壓電極為推挽型集總式電極結構。本實用新型的有益效果為,通過采用基于低介電常數材料基底晶片的鈮酸鋰薄膜結構,可去除二氧化硅緩沖層,實現鈮酸鋰強度調制器直流漂移現象的大幅抑制,顯著提升鈮酸鋰強度調制器的長期工作性能和可靠性。
聲明:
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