本發明涉及光學器件技術領域,提出一種基于異質集成薄膜鈮酸鋰片上耦合結構、制備方法及光器件。其中,包括薄膜鈮酸鋰光子芯片,薄膜鈮酸鋰光子芯片上通過異質集成晶圓鍵合技術集成有III?V有源波導層;薄膜鈮酸鋰光子芯片上設置有鈮酸鋰波導層,鈮酸鋰波導層的輸出端與III?V有源波導層的輸入端垂直倏逝波耦合;III?V有源波導層上覆蓋有N型金屬電極和P型金屬電極。本發明通過異質集成晶圓鍵合技術將III?V有源波導層集成到鈮酸鋰光子芯片上,實現了薄膜鈮酸鋰平臺片上光探測的功能。III?V有源波導層與薄膜鈮酸鋰光子芯片通過優化設計的III?V/LN模斑轉換器以垂直倏逝波耦合的方式光學互連,實現III?V有源波導層與鈮酸鋰波導之間的高效率耦合。
聲明:
“基于異質集成薄膜鈮酸鋰片上耦合結構、制備方法及光器件” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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