本發明屬于光電器件制備技術領域,具體為一種鈮酸鋰材料的刻蝕方法。本發明方法包括:在鈮酸鋰表面制備金屬鈍化層,用來提高納米圖形的保形性以及側壁刻蝕傾斜角;沉積硬掩膜,并采用微電子光刻技術進行圖形化處理;在待刻蝕的鈮酸鋰區域沉積活性金屬薄膜,以提高刻蝕深度;將覆蓋有活性金屬層的鈮酸鋰晶體在還原氣氛中進行退火;然后采用相應的酸溶液和堿溶液去掉鈮酸鋰表面的金屬及其與鈮酸鋰的反應物,得到具有一定刻蝕深度的鈮酸鋰納米圖形。所制備的大規模鈮酸鋰納米器件陣列尺寸可控,保形性和重復性好,側壁傾斜角大于80°,圖形凸塊表面光滑。鈮酸鋰納米器件制備步驟簡單,難度低,可降低大規模生產成本。
聲明:
“鈮酸鋰納米器件的刻蝕方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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