本發明公開了一種用于鈮酸鋰薄膜波導的耦合方式及其實現方法,包括單模光纖、氧化鉭波導光柵、鈮酸鋰納米線波導、二氧化硅緩沖層和硅襯底,其中,二氧化硅下包層可以采用熱氧化的方式;鈮酸鋰薄膜層直接鍵合在二氧化硅緩沖層表面。在鈮酸鋰薄膜表面制備氧化鉭波導和光柵結構,最后將經過特殊拋磨的單模光纖直接壓在氧化鉭波導表面。光信號可以直接從單模光纖進入氧化鉭薄膜波導然后通過氧化鉭光柵耦合到鈮酸鋰薄膜波導中。本發明解決了在鈮酸鋰表面很難直接刻蝕光柵的難題,相比于端面耦合,難度大大降低;同時采用拋光后的普通光纖直接與基片壓合的方式,在機械強度上有很大提高,不易受溫度變化影響,提高了納米級鈮酸鋰薄膜材料的耦合效率。
聲明:
“用于鈮酸鋰薄膜波導的耦合方式及其實現方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)