本發明屬光電材料領域。它提供了一種生長近化 學計量比鈮酸鋰晶體的方法 : 采用填加K2O助溶劑的方法, 降低鈮酸鋰的熔點, 提高晶體的鋰鈮比, 在熔融狀態下, 利用提拉法生長近化學計量比鈮酸鋰晶體(包括名義純和各種摻雜)。該技術生長的晶體中Li2O的含量在49mol%以上, 且光學質量好, 適用于產業化。在表面波濾波器、電光調制、電光開關、光波導其激光器、倍頻、參量振蕩、高密度信息存儲、光電器件集成等方面有著非常廣泛的應用前景。
聲明:
“近化學計量比鈮酸鋰晶體及其生長方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)