一種利用鋰化法調節三維光子晶體帶隙的方法,本發明涉及一種調節三維光子晶體帶隙的方法,它為了解決現有調節三維光子晶體帶隙的方法調節范圍較窄、精度低的問題。調節三維光子晶體帶隙的方法:一、銅箔垂直放入PS微球乳液中進行培養,得到生長有PS膠體模板的銅箔;二、將GeCl4加入(EMIM)TF2N中,得到電解液;三、使用三電極的電解池,采用恒電勢法進行電沉積鍺,得到三維鍺薄膜;四、在三電極體系中進行嵌鋰和脫鋰過程,從而調節三維光子晶體帶隙。本發明通過控制電壓的方向,使具有三維光子晶體結構的鍺薄膜相應地發生嵌鋰及脫鋰過程,由于Ge體積膨脹大,因此該方法的調節范圍非常大。
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