本發明的課題是提供一種容易管理涉及溫度、時間等的處理條件、體積電阻值的面內分布少并且由同一晶錠加工成的基板間的體積電阻率偏差少的鈮酸鋰(LN)基板的制造方法。本發明是使用通過丘克拉斯基法培養成的LN單晶制造LN基板的方法,其特征在于,將單晶中的Fe濃度為50質量ppm以上且2000質量ppm以下的、晶錠狀態的鈮酸鋰單晶埋入Al粉末中或者埋入Al和Al2O3的混合粉末中,在450℃以上且小于鋁的熔點660℃的溫度條件下進行熱處理,制造體積電阻率被控制在1×108Ω·cm以上且2×1012Ω·cm以下的范圍的鈮酸鋰單晶基板。
聲明:
“鈮酸鋰單晶基板的制造方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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