本發明涉及氫化鋰單晶制備技術領域,尤其涉及一種氫化鋰單晶的制備方法及使用的裝置。本發明提供了一種氫化鋰單晶的制備方法:在氫氣的氣氛中,處于靜止狀態的液態氫化鋰在移動溫度場中生長單晶;所述生長單晶時,固液界面處的液態氫化鋰的溫度梯度≤10℃/cm,所述移動溫度場由加熱裝置移動形成。本發明提供的制備方法之制備得到的氫化鋰單晶晶體缺陷少品質高。由實施例的結果表明,本發明提供的制備方法制備的氫化鋰單晶呈半透明狀,X射線衍射峰僅有(002)和(004)衍射峰,衍射峰強度高而尖銳,表明氫化鋰單晶的階梯缺陷少,單晶品質高。
聲明:
“氫化鋰單晶的制備方法及使用的裝置” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)