本發明公開了一種基于反應離子刻蝕的鉭酸鋰微圖形化方法,屬于半導體技術領域,具體涉及鉭酸鋰晶體微圖形化,以解決各層材料間應力較大使圖案易被破壞的問題,包括:在光刻膠表面依次鍍Ti金屬掩膜和Cr金屬掩膜;用剝離法在鉭酸鋰基底表面制備出金屬掩膜圖案;采用氟基等離子體對制備出金屬掩膜圖案的鉭酸鋰基底進行反應離子刻蝕;采用氬等離子體對鉭酸鋰基底進行30s?2min物理轟擊,以去除在樣品表面形成的氟化鋰和氟化鉭酸鹽等高沸點難揮發性物質;重復上述刻蝕步驟,直至完成鉭酸鋰基底的微圖形化。在鉭酸鋰基底上制作微米級深度的圖形,同時達到圖形的側壁傾角大,溝槽表面光滑的目的,得到較高的金屬掩膜的選擇比,刻蝕深度較深。
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“基于反應離子刻蝕的鉭酸鋰微圖形化方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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