本發明公開了一種可兼容CMOS工藝的硅基鈮酸鋰混合集成電光調制器,包括:含有集成電路結構的硅基底晶片、鍵合于硅基底晶片上表面的光學級鈮酸鋰薄膜及其中的電光調制器光學波導、制作于光學級鈮酸鋰薄膜上表面的金屬薄膜電極、金屬薄膜電極與集成電路結構之間的電互連結構。本發明通過常規CMOS工藝實現了硅基集成電路與鈮酸鋰電光調制器的混合集成,可滿足下一代光通信技術發展對光器件與信號處理模塊集成化的要求,進一步提升光模塊的性能、體積、功耗、可靠性等指標,降低光模塊的制造成本。本發明還提供了一種制造的上述的可兼容CMOS工藝的硅基鈮酸鋰混合集成電光調制器的制造方法。
聲明:
“可兼容CMOS工藝的硅基鈮酸鋰混合集成電光調制器及其制造方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)