本發明公開了一種高質量薄膜鈮酸鋰微納光柵的制備方法,包括:對LNOI材料進行表面清潔;制備高精度的電子束標記;涂覆電子束正膠ZEP 520A,進行LNOI光柵圖形以及電子束標記保護區域曝光;蒸發剝離Ni金屬,作為光柵波導刻蝕掩膜;采用F基RIE干法刻蝕與NH4OH:H2O2:H2O的濕法處理,循環多次達到指定刻蝕深度;采用30%HNO3去除剩余的Ni掩膜;生長氧化硅上包層。本發明所述方法用于制備LNOI光柵,有效解決了鈮酸鋰刻蝕后生成物附著問題,提高了LNOI光柵的側壁光滑度和垂直度。
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