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    具有高飽和衍射效率的鈮酸鋰晶體及其制備方法

    1051   編輯:管理員   來源:中冶有色網  
    2023-03-18 21:50:28
    本發明公開了一種具有高飽和衍射效率的鈮酸鋰晶體,將原料混合充分研磨后,將籽晶固定在坩堝底部種井部位,然后將所有混合原料裝入鉑金坩堝并封好,置于晶體生長爐生長晶體并控制爐內溫度1300?1400℃,利用坩堝下降法法生長晶體,生長速度為0.2?0.4mm/h,Mg離子和U離子的摻入大幅度提高了LiNbO3晶體的飽和衍射效率和光折變響應時間。還公開了該鈮酸鋰晶體的制備方法。本發明實現了高飽和衍射效率、快響應鈮酸鋰單晶的生長,并且工藝設備簡單,可同時生長多根晶體,可極大提高鈮酸鋰晶體的生產效率,推動其在全息領域的應用。
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