本發明公開了一種多孔結構SiCO基鋰電極,包括單晶硅基板,單晶硅基板上自下而上依次設有TiN阻擋層、Al薄膜層、SiAlCO薄膜層、SiBCO薄膜層和SiCO薄膜層。本發明通過將TiN阻擋層、Al薄膜層、SiAlCO薄膜層、SiBCO薄膜層和SiCO薄膜層形成復合薄膜層置于單晶硅基板形成電極,不僅提高了SiCO的鋰容量,還可以大大緩解電極材料在充放電時的產生體積膨脹,并控制容量衰減,從而解決SiCO電極循環穩定性差的不足。此外,薄膜材料作為電極還可以有效的縮短鋰離子在嵌入脫出過程中的迀移路徑,并提高擴散速率,從而改善材料在高倍率充放電時的電化學性能。
聲明:
“多孔結構SiCO基鋰電極” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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