本發明涉及一種制備基于鋁酸鋰襯底單芯片白光LED的方法,采用飛秒激光器在鋁酸鋰襯底上分區域刻蝕出納米尺寸的凹槽形成圖形化納米結構,每個區域刻蝕出具有不同深度的凹槽,然后在此結構上生長InGaN/GaN量子阱,不同區域可發射出不同波長的光,這些光的復合產生白色光。單芯片LED不需要在表面涂敷熒光粉,僅靠單芯片本身的發光就能實現白光發射,可以大大降低成本。
聲明:
“制備基于鋁酸鋰襯底單芯片白光LED的方法及其結構” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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