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    基于超薄氧化鋰高k介電層薄膜晶體管的制備方法

    774   編輯:管理員   來源:中冶有色網  
    2023-03-18 22:45:39
    本發明屬于半導體薄膜晶體管制備技術領域,涉及一種基于超薄氧化鋰高k介電層薄膜晶體管的制備方法,選用低阻硅作為基底和柵電極,采用熱退火的方式制備超薄Li2O柵介電層和高透過率、化學穩定性良好的In2O3半導體溝道層,進一步制備高性能、低能耗的TFT器件;其工藝簡單,原理可靠,低成本,能耗少,制備的產品性能好,應用前景廣闊,為大面積制備高性能的薄膜晶體管提供可行性方案。
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