本發明屬于半導體薄膜晶體管制備技術領域,涉及一種基于超薄氧化鋰高k介電層薄膜晶體管的制備方法,選用低阻硅作為基底和柵電極,采用熱退火的方式制備超薄Li2O柵介電層和高透過率、化學穩定性良好的In2O3半導體溝道層,進一步制備高性能、低能耗的TFT器件;其工藝簡單,原理可靠,低成本,能耗少,制備的產品性能好,應用前景廣闊,為大面積制備高性能的薄膜晶體管提供可行性方案。
聲明:
“基于超薄氧化鋰高k介電層薄膜晶體管的制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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