本發明提供一種用于鋰電保護的開關器件及其制作方法,該開關器件包括:P+型襯底及P?型外延層;N型阱區;兩個P型阱區;兩個柵極結構;共用的N?型漂移區,形成于兩個柵極結構之間;N型源區及P+型接觸區;介質層,所述介質層中打開有兩個源區接觸窗口及一體區接觸窗口,所述體區接觸窗口內的所述P?型外延層被去除形成直至所述P+型襯底的溝槽;以及填充于所述源區接觸窗口、體區接觸窗口及所述溝槽內的電極材料。本發明采用共用漂移區的方式構建MOSFET器件,使得漂移區區域電阻可以大大降低,同時保證耐壓不變。將其中一個源區電極通過與體區電極的方式引到芯片背面,封裝時可與基底焊接,省掉一個打線電阻,在極低的內阻要求下非常有效。
聲明:
“用于鋰電保護的開關器件及其制作方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)