本發明提供一種用于鋰電保護的開關器件及其制作方法,包括:P+型襯底及P?型外延層;第一絕緣溝槽,形成于體接觸區域;N型阱區;兩個P型阱區;兩個柵極結構;共用的N?型漂移區,形成于兩個柵極結構之間;N型源區及P+型接觸區;介質層,其打開有兩個源區接觸窗口及一體區接觸窗口,所述體區接觸窗口內的所述絕緣介質被去除形成第二溝槽,且第二溝槽側壁保留有絕緣介質;以及填充于所述源區接觸窗口、體區接觸窗口及所述第二溝槽內的電極材料。本發明采用共用漂移區的方式構建MOSFET器件,大大降低漂移區區域電阻,同時保證耐壓不變;將其中一個源區電極引到芯片背面,可有效降低器件內阻;體區電極側壁的絕緣介質可有效降低漏電流,并提高耐壓。
聲明:
“用于鋰電保護的開關器件及其制作方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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