本發明提供一種半導體襯底的制備方法,包括:提供鋁酸鋰晶片,使用濺射法在所述鋁酸鋰晶片上沉積AlN膜層得到半導體襯底。本發明以鋁酸鋰晶體作為基底,然后在上面采用濺射法沉積AlN膜層制成半導體襯底,由于鋁酸鋰與GaN的晶格失配度小,作為GaN晶體生長的襯底時,易于制備GaN外延薄膜,并減少由應力引起的高缺陷密度。當在鋁酸鋰晶片上沉積與GaN晶體結構相同、晶格常數相近的AlN膜層時,可以解決由于鋁酸鋰晶體和GaN之間的熱膨脹差異而導致的GaN外延片開裂的問題。而且,AlN作為緩沖層還可以阻止鋁酸鋰襯底中Li的揮發,并保護鋁酸鋰襯底不受酸性或還原性氣氛的腐蝕。
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