本發明公開了一種用于紅外焦平面器件的鐵電單晶薄膜制備方法。其方法是將硅基襯底上的鉭酸鋰(LiTaO3)單晶薄膜剝離下來轉移到特定的襯底上,保留單晶體材料的熱釋電性能,關鍵技術包括腐蝕硅基襯底的工藝條件、自支撐薄膜轉移、電極制備與性能測試。首先,利用把硅基鉭酸鋰薄膜放置于腐蝕液中,在一定的溫度下反應一段時間,然后轉移到酒精中進行二次轉移操作,使其在特定襯底上形成自支撐薄膜。然后,利用電子束蒸發制備上下電極,用自制的熱釋電系數測試系統測量單晶薄膜的熱釋電系數。該技術可以獲得大面積、均勻的自支撐鉭酸鋰單晶薄膜,可用于制備高靈敏的非制冷紅外焦平面器件。
聲明:
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