本發明涉及一種由基板(20)或供體基板形成半導體材料層(26)的方法,所述基板或供體基板由相同的半導體材料制成,所述方法包括:在所述供體基板中形成濃度在5×1018原子/cm3和5×1020原子/cm3之間的高鋰濃度區域(22);然后,將氫注入(24)到在所述高鋰濃度區域或所述高鋰濃度區域的附近的供體基板中;將加固件(19)施加至所述供體基板;施加熱預算以使得通過所述注入界定的層(34)剝離。
聲明:
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