本發明涉及光電芯片技術領域,特別涉及一種混合集成光電芯片襯底結構的制備方法及襯底結構。方法包括:獲取絕緣體上硅襯底和絕緣體上鈮酸鋰薄膜襯底;絕緣體上硅襯底包括支撐層和鍵合層,鍵合層包括硅薄膜層,硅薄膜層設置在支撐層上;絕緣體上鈮酸鋰薄膜襯底包括鈮酸鋰薄膜層;將鈮酸鋰薄膜層與鍵合層鍵合得到復合鍵合結構;去除復合鍵合結構中的支撐層,暴露出硅薄膜層得到混合集成光電芯片襯底結構。通過將絕緣體上硅襯底和絕緣體上鈮酸鋰薄膜襯底鍵合,得到性能優異的混合集成光電芯片襯底結構,從而能夠實現性能更加優秀的光電芯片的制備。
聲明:
“混合集成光電芯片襯底結構的制備方法及襯底結構” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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