提供一種彈性波裝置及復合濾波器裝置,能夠充分地抑制諧振頻率的2.2倍的頻率下的高階模式。本發明的彈性波裝置(1)具備面取向為(111)的硅基板(2)、氮化硅層(3)、氧化硅層(4)、鉭酸鋰層(5)、以及設置在鉭酸鋰層(5)上的IDT電極(6)。在將由IDT電極(6)的電極指間距規定的波長設為λ時,氮化硅層(3)的厚度SiN[λ]、氧化硅層(4)的厚度SiO2[λ]、鉭酸鋰層(5)的厚度LT[λ]及鉭酸鋰層(5)的歐拉角中的LTθ[deg.]為通過式1導出的第一高階模式的相位成為?20[deg.]以下的范圍內的厚度及角度。
聲明:
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我是此專利(論文)的發明人(作者)