本發明設計一種基于模擬型和數字型共存的MoS2基憶阻器及其制備方法,其結構由下至上依次包括襯底層、底電極層、二硫化鉬?聚合物?鋰鹽凝膠層、頂電極層;其特征在于:所述二硫化鉬?聚合物?鋰鹽凝膠層是作為阻變層,層狀的二硫化鉬均勻分散在聚合物中,為鋰離子和電子提供存儲位點,頂電極厚度為50?100nm,底端電極厚度為30?100nm,阻變層的厚度為100?300nm。本發明具有如下優點:在單一器件中存在模擬和數字憶阻行為共存的現象,并且存在多態存儲、閾值電壓小的憶阻器。該結構表現出的模擬和數字型共存的憶阻行為,為實現可調控的神經形態學習提供了一個可行的方案,促進類腦型形態計算的發展。
聲明:
“基于模擬型和數字型共存的MoS2基憶阻器及其制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)