本發明提供了一種超薄硅膜及其制備方法和用途,該超薄硅膜自下而上依次包括導電基底層、硅膜層和鈍化層,由磁控濺射和原子層沉積方法制備得到。該超薄硅膜的硅膜層厚度均勻可控,鈍化層厚度適宜,具有優異的電化學性能,用于鋰二次電池的電極,能夠改變電極材料表面的電化學反應、加快鋰離子在充放電過程中的嵌入和脫嵌過程,從而大幅度提高鋰二次電池的性能。
聲明:
“超薄硅膜及其制備方法和用途” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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