一種諧振器,涉及半導體技術領域,該諧振器包括襯底以及依次設置于襯底上的二氧化硅層和鈮酸鋰薄膜層,其中,鈮酸鋰薄膜層上劃分有以預設距離相間隔的第一刻蝕區域和第二刻蝕區域,對鈮酸鋰薄膜層的第一刻蝕區域和第二刻蝕區域分別刻蝕并穿透二氧化硅層至露出襯底,在第一刻蝕區域和第二刻蝕區域內填充保護墻,保護墻至少超出二氧化硅層的上表面。該諧振器能夠有效控制空腔的形狀,從而避免影響器件性能。
聲明:
“諧振器” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)