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    基于LNOI光子平臺的硅光探測器及其制備方法

    1015   編輯:管理員   來源:中冶有色網  
    2023-03-18 23:20:27
    本發明公開了一種基于LNOI光子平臺的硅光探測器及其制備方法,包括設于絕緣體襯底上的鈮酸鋰薄膜、單晶硅層和電極,所述絕緣體襯底包括支撐襯底層和光絕緣層,所述支撐襯底層設于所述光絕緣層的一側,所述鈮酸鋰薄膜設于所述光絕緣層的另一側,所述鈮酸鋰薄膜的另一側設有所述單晶硅層,在所述單晶硅層上設有所述電極。相對于現有技術,本發明提出的基于LNOI光子平臺的硅光探測器及其制備方法,由于硅為單晶硅,材料中的缺陷極少,大大提高了光生載流子的收集效率,所制備的器件具有高響應率,低電容,低暗電流和高靈敏度的優點,同時離子束剝離制備的單晶硅層厚度均勻性極好,器件性能穩定,具有極大應用前景。
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