本發明公開了一種NaV2O5晶體薄膜的制備方法,該方法主要包括以下步驟:a),將載玻片置于ALD反應腔;b),利用ALD技術在載玻片表面沉積氧化釩薄膜,具體步驟為:向ALD腔內注入第一種前驅體;待反應充分后用惰性載氣吹掃;隨后注入第二種反應前驅體;待反應充分后用惰性載氣吹掃;c),循環執行上述操作,控制循環周期數獲得一定厚度范圍的氧化釩薄膜;d),將樣品置退火爐中,在高純氧氣下300℃結晶處理;e),將結晶處理后的樣品置于退火爐中,在還原性氣氛下500℃退火得到NaV2O5晶體薄膜。本發明所采用的制備方法具有自動化程度高、薄膜厚度控制精確、重復性好。本發明所制備的NaV2O5晶體薄膜可用于鋰電池電極材料及納米光學器件研究。
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