本發明屬于納米材料制備的技術領域,具體涉及一種金屬型二硫化鉬量子點修飾的TiN納米管陣列復合材料及其制備方法。制備方法包括:(1)采用手動研磨法將大尺寸半導體型MoS2塊體研磨得到半導體型MoS2粉末;(2)對半導體型MoS2粉末進行鋰插層處理;(3)將鋰插層處理后的半導體型MoS2粉末分散在溶劑中,并進行超聲處理,離心分離,得到金屬型MoS2量子點溶液;(4)將TiN納米管陣列置于金屬型MoS2量子點溶液中,然后依次進行超聲處理、浸泡、干燥,得金屬型MoS2量子點修飾的TiN納米管陣列復合材料。本發明的金屬型MoS2量子點修飾的TiN納米管陣列復合材料具有優異的電催化性能和穩定性。
聲明:
“金屬型二硫化鉬量子點修飾的TiN納米管陣列復合材料及其制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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