本發明公開了一種非極性GaN薄膜及其制備方法。該薄膜包括:LiAlO2襯底以及在該襯底上依次生長的低溫保護層、U-AlGaN層和高溫U-GaN層。其制備方法包括如下步驟:步驟一,生長低溫保護層:在MOCVD系統中,以LiAlO2(100)面做襯底,在N2保護下,升溫到800-950℃;切換到氫氣氣氛生長低溫保護層U-GaN,反應室壓力為150-500torr,TMGa流量為1-50sccm;步驟二,生長U-AlGaN層:降低反應室壓力至100-300torr,升溫到1000-1100℃,生長U-AlGaN層,TMGa流量為10-150sccm,TMAl的摩爾流量與TMGa流量之比為1/5-2;步驟三,生長高溫U-GaN層:停止通入TMAl,繼續生長U-GaN。本發明可以有效改善(100)面鋁酸鋰(LiAlO2)襯底上非極性m(10-10)面GaN薄膜的表面形貌,有利于提高器件的工作效率。
聲明:
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