本發明公開了一種氧化亞銅薄膜的制備方法,本發明涉及一種氧化亞銅(Cu2O)薄膜的簡單制備方法。本發明通過采用含氯離子的氯化鈉、氯化鉀等為前驅物,使用水熱法在金屬銅片襯底上原位生長Cu2O薄膜,并能進行快速規?;纳a。方法是將金屬銅片浸入一定濃度的含有氯離子的鹽溶液中,在一定溫度下保持一定時間,即可得到原位生長的Cu2O薄膜。通過簡單的水熱法制備方法得到的Cu2O薄膜在光伏器件、鋰離子電池和光催化劑、殺菌劑領域具有潛在的應用。
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“氧化亞銅薄膜的制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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