本發明公開了一種陰陽離子共摻雜和表面雙包覆的高鎳單晶三元材料及其制備方法,制備方法為:將高鎳三元前驅體、鋰源、金屬氟化物和含鋯化合物按比例混合均勻,得到混合物;將得到的混合物在氧氣氣氛中先低溫預燒再高溫煅燒,得到陰陽離子共摻雜的高鎳單晶三元材料基體;將得到的陰陽離子共摻雜的高鎳單晶三元材料基體經過破碎、過篩得到單晶顆粒分散均勻的陰陽離子共摻雜的高鎳單晶三元材料基體;將得到的單晶顆粒分散均勻的陰陽離子共摻雜的高鎳單晶三元材料基體和含硼化合物、含鎢化合物混合均勻,在氧氣條件下進行煅燒,得到陰陽離子共摻雜和表面雙包覆的高鎳單晶三元材料。使高鎳單晶三元材料放電容量、循環性能、內阻得到了明顯的改善。
聲明:
“陰陽離子共摻雜和表面雙包覆的高鎳單晶三元材料及其制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)