本發明公開了一種暴露{111}晶面Cu2Se/Cu2O超晶格亞微米線的制備方法,該方法是采用簡單的水熱法,以乙醇胺與蒸餾水的混合液為溶劑,將Se粉和KBH4、處理好的銅片水熱反應后在惰性氣體保護下煅燒,即可在銅片表面制備成暴露{111}晶面Cu2Se/Cu2O超晶格亞微米線,其直徑為0.23~2.14μm、長度17~420μm。本發明操作簡單,成本低,重復性和一致性好,所制備的暴露{111}晶面立方結構Cu2Se/Cu2O超晶格亞微米線可望在光催化、太陽能電池、超離子導體、鋰離子電池和超級電容器等應用中體現增強的光電性能。
聲明:
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