本發明公開了一種α?MoC1?x/Si@C微球及制備方法和應用,以多巴胺為碳源的碳形成微米級別的球作為骨架,前驅體中的鉬酸銨提供鉬元素再碳基質上原位形成大量的碳化鉬顆粒,作為較大的碳/碳化鉬導電載體,被碳基質包裹的納米二氧化硅被還原為納米硅顆粒牢固地被碳骨架包覆,以此形成了納米硅顆粒分布在碳/碳化鉬主體內的球狀結構。本發明用溫和的鎂熱法較好地保留了材料的初始形貌,還原的Si被碳層包覆,可改善其在脫?嵌鋰過程的體積膨脹,提升循環壽命。
聲明:
“α-MoC1-x/Si@C微球及制備方法和應用” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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