一種利用離散鉻晶核制備自剝離超薄銅箔的方法,涉及用于制造印刷電路板和鋰離子電池的超薄銅箔領域。通過在銅表面電沉積一層離散的Cr晶核用于銅箔的自剝離,離散的Cr晶核有效地降低銅箔與銅表面的結合力,實現銅箔的自剝離;在此剝離層上沉積的銅箔,厚度為1~4μm。利用三價Cr鹽沉積金屬離散晶核,避免六價鉻的毒性,更環保。利用離散核實施自剝離,減少銅箔在存放時金屬和Cu的擴散。在生產中能夠方便地利用電源調節沉積參數,Cr晶核沉積只需幾秒時間,沉積的剝離層分布均勻,方法簡單,易于實施。
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