本發明涉及無機材料技術領域,具體說是一種利用CVD制備片狀硫硒錫光電極的方法,其包括以將錫前驅物、硫和硒分散于舟中;將舟和基底放于石英管后置于爐中蓋上爐蓋;將石英管中氧氣排出;將爐子進行加熱至合適的溫度;升高硫和硒的溫度,制備一定的時間;冷卻石英管,即可在基底上獲得硫硒錫光電極。本發明所得的片狀硫硒錫厚度均勻,硫硒比例可控,片厚為≤10微米,導電性好。本發明所用的合成方法簡單方便,成本低,易于實現工業化生產。本發明將所制備的材料可以用于光電催化、鋰離子電池電極材料等領域。因此,具有很強的市場前景和發展潛力。
聲明:
“利用CVD制備片狀硫硒錫光電極的方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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