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    ZnS納米晶半導體前驅薄膜或半導體薄膜的電化學制備方法

    782   編輯:管理員   來源:中冶有色網  
    2023-03-19 00:17:45
    本發明涉及ZnS納米晶半導體前驅體薄膜或半導體薄膜的電化學制備方法,電解液含有摩爾比為(15-20):(15-25):(0.2-0.8):(0.3+0.1)的Zn2+,S2O32-,表面活性劑、SO32-,并含有氯化鋰,電解液的pH值介于2.5-4.5之間;然后利用恒電流法或恒電位法,實現Zn、S二元素的共析結晶,生成純凈的六方相或立方相結構的ZnS前驅體薄膜。而后將所得前軀體薄膜在惰性氣氛保護條件下于250-500℃下恒溫一段時間,均得到純凈的高取向性的結晶性更好的立方相ZnS納米晶半導體薄膜。本發明所提供的方法可控性強,重復性好,所制備的ZnS納米晶半導體薄膜無雜質,適用于薄膜太陽能電池的窗口層材料。
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