本發明屬于半導體技術領域,具體涉及基于聲表面波器件的動態陣列納米材料應變平臺搭建及器件制備,其特征在于:引入的應變范圍可以通過聲表面波器件的參數設計控制,并且可以通過通斷電來實現是否引入應變。具體包括設置在最底層的EVB評估板,板中央固定128°Y鈮酸鋰襯底,襯底上設有規定方向預設圖形的金屬叉指電極,電極中央設有100um*100um的空白區域用以搭載二維材料,整個平臺通過外設驅動供電。本發明的有益效果是為改善二維材料性能提供一種新的動態陣列應變平臺,通過改變設計參數準確控制應變大小和范圍,靈活性強,實現實時調控。
聲明:
“基于聲表面波器件的動態陣列納米材料應變平臺” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)